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[LTE] 中兴4G二期产品 及建设方案介绍 [复制链接]

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发表于 2015-1-30 15:55:54 |显示全部楼层
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【资料名称】:中兴4G二期产品 及建设方案介绍



【资料作者】:中兴



【资料日期】:2014年3月



【资料语言】:中文



【资料格式】:PDF



【资料目录和简介】:



4G二期TD-LTE产品介绍F+D协同组网方案深度覆盖应用方案


F+D协同组网方案


深度覆盖应用方案




部分内容:


4G二期产品性能总结
 8通道/2通道60M设备:大功率、高带宽、满足中移一步到位的频谱组网要求,并率先通过中移60M带宽性能测试
 R8978 S2600W支持8*25W的发射功率,可支持D频段S333站型需要,发射功率业界最高;
 R8972E S2600W支持2*60W的发射功率,可支持D频段S333站型需要,发射功率业界最高;
 R8978 S2600W、R8972E S2600W完全满足中移测试中对ACLR和ACS的邻频性能挃标要求;同时,在中移和电信LTE频谱无过渡带保护的组
网下,时隙同步配置也将成为规避运营商间干扰的必要手段。
 R8978 S2600W 、R8972E S2600W体积小、重量轻,相同体积重量下的载频带宽是业界其他厂家的2倍,有效提升施工效率
 Nanocell:体积、重量最小,集成度最高,满足室内深度覆盖,并率先在沈阳完成外场验证和中移研究院验收
BS8102 T2300作为业界最早推出的Nanocell支持Wifi/TD-LTE双模、支持2x2 MIMO,大大优化频谱效率,幵提升网络上行性能;
 一体化微站:有效解决机房受限快速低成本补盲补热
D频段BS8912/R T2600一体化微站/中继站支持60M带宽和本期推出的BS8912/R T1900 F频段一体化微站/中继站,支持天线一体化,主要应
用亍D频段和F频段覆盖扩展及边缘容量提升场景
 E频段两通道高功率RRU
R8972E S2300W 支持2*60W的发射功率,支持TDS/TDL双模应用,功率更高利亍室内覆盖提升




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